Дирӯз (20), ноиби президенти Samsung Electronics Ли Ҷи Ён аввалин хати тавлидкунандаи ширкати V1-ро дар асоси технологияи шадиди ултрабунафш (EUV) санҷид. Дар ин давра Ли, Ҷа Ён бори дигар изҳор кард, ки Samsung Electronics то соли 2030 рақами ҷаҳон дар соҳаи чипҳои мантиқӣ мегардад.
Тибқи иттилои BusinessKorea, Samsung Electronics қайд кард, ки дирӯз Ли Си Ён (Ли, Ҷа Ён) бо президенти бахши бизнеси DS мулоқот карданд. Бахши Samsung Solutions Device (DS) ду хатти муҳими маҳсулот, нимноқилҳо ва дисплейҳоро дарбар мегирад. Вохӯрӣ инчунин ба назар мерасид, ки Ли, азми қатъии Jae Yong.
Маълум аст, ки хати истихроҷи V1 моҳи феврали соли 2018 бо сармоягузорӣ ба маблағи тақрибан 6 миллиард доллари амрикоӣ оғоз ёфтааст. Агар дар оянда тамоми хатти интиқол ба анҷом расад, сармоягузории умумӣ 20 триллион вонро дар назар дорад.
"V1 дорои Ultra рангест ва Ғалаба," гуфт як иҷроияи Samsung Electronics. "Мо ба нақша гирифтаем, ки дар асоси шароити ояндаи бозор сармояи иловагӣ ба хати V1 созем."
Ҳамзамон, Samsung Electronics чунин мешуморад, ки азхудкунии раванди EUV барои нигоҳ доштани TSMC муҳим аст. Азбаски ҷараёни нимноқил ба воситаи кафшер бо истифода аз манбаи нури ултрабунафш кӯтоҳ карда шудааст, дар муқоиса бо усули ArF, раванди пешрафта метавонад микросхемаҳои ҷарроҳиро ба вуҷуд орад. Он барои равандҳои ултра-ҷаримаи зери 10 нанометр мувофиқ аст ва барои омода кардани нимноқилҳои баландҳосил ва камқувват истифода мешавад. Асосӣ.
Дар хати истеҳсолии Samsung Electronics 'V1, илова бар микросхемаҳои 7-нанометрӣ, нимноқилҳои 5-нм ва 3-нм низ истеҳсол карда мешавад. Гуфта мешавад, маҳсулоти 7 нанометрӣ, ки аз аввали моҳи феврал оммавӣ тавлид мешаванд, моҳи март ба муштариён дар саросари ҷаҳон интиқол дода мешаванд.
Ли Ҷе Ён ҳамчунин ба ҳамон рӯз ба кормандон гуфт, "соли гузашта мо тухми ҳадафро барои раҳбари нимноқилҳои системавӣ коштем ва имрӯз мо аввалин шуда ба ин ҳадаф расидем."