Ба гуфтаи манбаъҳои саноат, ки аз ҷониби ZDNet иқтибос шудаанд, Samsung Electronics мақсади NRD-K Line 2 -ро, ки дар кампуси Гиёнг сохта мешавад, дубора баҳогузорӣ мекунад. Ширкат ба табдили хати таҳқиқот ва рушд, ки аввал плани пешниҳодшуда буд, ба хати истеҳсоли фабрикаи махсус барои истеҳсоли 2nm логикӣ бази дагии HBM-и наслҳои оянда, назар дорад. Ин ҳаракат барои омодагӣ ба талаботи HBM-ро, ки аз ҷониби мизоҷони бузурги монанди Nvidia сахт афзоиш меёбад, пешбинӣ шудааст.
Ба гуфтаи манбаъҳои саноат, ки аз ҷониби ZDNet иқтибос шудаанд, Samsung Electronics мақсади NRD-K Line 2 -ро, ки дар кампуси Гиёнг сохта мешавад, дубора баҳогузорӣ мекунад. Ширкат ба табдили хати таҳқиқот ва рушд, ки аввал плани пешниҳодшуда буд, ба хати истеҳсоли фабрикаи махсус барои истеҳсоли 2nm логикӣ бази дагии HBM-и наслҳои оянда, назар дорад. Ин ҳаракат барои омодагӣ ба талаботи HBM-ро, ки аз ҷониби мизоҷони бузурги монанди Nvidia сахт афзоиш меёбад, пешбинӣ шудааст.
NRD-K Line 2 аввал барои рушди равандҳои пешрафта тарҳрезӣ шудааст. Согласно последним планам, завод в первую очередь будет поставлять базовые чипы для индивидуализированных HBM-продуктов и HBM5 после начала работы. Samsung решила производить базовые чипы HBM5 с использованием 2nm-процесса на основе своей архитектуры gate-all-around (GAA). Ожидается, что продукты следующего поколения обеспечат скорости передачи данных более чем на 50% выше, чем HBM4E, что сделает обычные конструкции базовых чипов все более неспособными удовлетворить требования к пропускной способности и потреблению энергии. Ранее Seoul Economic Daily сообщила, что Samsung в первый раз публично раскрыла детали своего решения HBM5 в июне этого года.
Хати истеҳсолот дар нимаи дуюми соли 2028 оғоз меёбад. Манбаъҳо гуфтанд, ки агар ин иншоот нисбатан хурсан бошад, ин эҳтимолан дар модели "send-fab" ҳамчун заводи маслиҳатӣ кор мекунад. Ба ҷои он ки тамоми равандҳои истеҳсоли вейкиро мустақилона идора кунад, он вейкҳоро аз хати истеҳсоли асосии худаш дастрас мекунад ва танҳо марҳилаҳои интихобшударо анҷом медиҳад. Иншоот иқтидори переходи пешрафтаи Samsung -ро дотии хати истихсол дуруст наметавонад.
Лоиҳа тақрибан ду сол дурتر аз оғози мақсадноки худ боқӣ мемонад, ва нақшаи ниҳоӣ ҳанӯз тасдиқ нашудааст. Агарчӣ пешниҳоди дохилӣ ватанна прапаганди каби мебошад, фармонҳои харида барои таҷҳизот нашр нашудааст. Миқдори сармоягузорӣ ва мақсади ниҳоии иншоот метавонанд то ҳол бо посух ба тағирот дар талаботи бозори нимноҳо мутобиқ карда шаванд.
NRD-K як комплекси интегратсионӣ барои таҳқиқот ва рушд мебошад, ки аз ҷониби Samsung бо сармоягузории тақрибан 20 триллион вон сохта мешавад. Майдони графа се хати истеҳсолиро дар бар мегирад. Хати 1 дар охири соли 2024 ба итмом расид, ҳ while ҳангоми омодагии ибтидоии майдони хати 2 дар ин сол оғоз ёфт ва корҳои поя дар вақти ҳозира дар кори ҳастанд.
Табдили эҳтимолии Samsung хати R&D -ро ба хати сохташуда барои Хати IPH безову ҳамроҳиши бо соҳибкории хати ва ономаи HBM нуфт ба стратегии қавитар кардани вақтро миёни бандҳои кати ва фабрикахоят мекунад. HBM5 ва маҳсулоти HBM махсус, ки барои GPU-ҳои наслҳои ояндаи Nvidia таҳия шудаанд, чипҳои асосии логикӣ бо иҷрои баландро талаб мекунанд. Агар Samsung тавонад ин ҷузъҳои 2nm -ро дар худаш истеҳсол кунад, метавонад мавқеи рақобатпазирии худро қавӣ гардонад ва назорати бештареро барои иқтидори истеҳсолӣ барои компонентҳои асосии HBM ба даст орад.